技术编号:14706631
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化铝衬底的制造、氮化铝晶体的扩径领域,具体涉及一种氮化铝衬底制备及扩径生长方法。背景技术氮化铝晶体材料是光电半导体材料中的重要化合物之一,因其具备良好的理化性能业已引起科研机构的相续关注,随着国家对半导体行业的加大投入,氮化铝晶体材料的研究结构呈现递增趋势。尽管氮化铝晶体材料具有广泛的应用前景,但由于氮化铝晶体材料的本征因素,使得氮化铝晶体材料的制备技术进展缓慢,其中最重要的一项因素就是缺乏氮化铝衬底,无法实现氮化铝晶体材料的自繁衍生长。在异质模板衬底方面,具有同样纤锌矿结构的碳化硅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。