技术编号:14714000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造领域,特别是涉及一种法拉第杯结构及离子植入设备。背景技术离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上,以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度,以穿透植入薄膜,到达预定的植入深度。离子植入制程可通过离子束电流(离子束内之总离子数)与扫瞄率(晶圆通过离子束之次数)实现对植入区内的掺质浓度进行精密控制,而离子植入的深度则由离子束能量的大小来决定。离子注入设备是集成电路制造前工序中的关键设备,离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,其目的...
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