技术编号:14714079
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体器件制作领域,特别是涉及一种晶体管结构、存储单元及存储器阵列。背景技术动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称:DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。每一个存储单元主要由一个晶体管、及由晶体管操控的电容器所构成,其中,晶体管通过栓导电层与所述电容器形成导电通道,以控制所述电容器。众所周知,栓导电层的电传导能力是决定所述存储单元性能的关键参数,而金属垫层则是决定所述栓导电层电传导能力的关键;而现有的栓导电层在制...
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