技术编号：14716588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及忆阻器技术领域，尤其涉及一种忆阻器等效模拟电路。背景技术忆阻作为迷失的非线性无源二端元器件是由蔡少棠猜想并推广到忆阻系统的，它具有非易失性。更广义的定义认为忆阻基于电阻开关效应可以涵盖所有形式的双端非易失存储器。忆阻M具有以下关系式：其中q和t分别表示磁通量、电荷量和时间变量。R[q(t)]这个函数的斜率称为忆阻，类似如下可变电阻：其中Vi(t)和Ii(t)表示忆阻瞬时输入电压和输入电流。如今忆阻在许多科学领域被用来构建忆阻系统，如生物过程仿真、合成神经元、多级存储系统等。阻器一般可分...
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