技术编号:14716837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种SONOS存储器的制造方法。背景技术挥发性存储器(NVM)技术,主要有浮栅(floating gate)技术、分压栅(splitgate技术以及SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)技术。SONOS技术应用广泛,具有操作电压低,速度快,容量大等优点。现有P型SONOS器件的结构示意图如图1所示:包括N阱区101,形成于所述N型阱区101上的底层氧化硅层103、中间层氮化硅层104和顶层氧化硅层105,由所述底层...
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