技术编号:14722395
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种热处理方法及热处理装置,对在硅等基材上夹入界面层膜并成膜着高介电常数栅极绝缘膜的半导体晶片或玻璃基板等薄板状的精密电子基板(以下,简称为“基板”)照射闪光而加热该高介电常数栅极绝缘膜。背景技术以往,作为场效应晶体管(FET,FieldEffectTransistor)的栅极绝缘膜,通常使用二氧化硅(SiO2),但随着栅极绝缘膜的薄膜化伴随元件的微细化推进,漏电流增大成为问题。因此,例如专利文献1所揭示般,进行如下金属栅极电极的开发,所述金属栅极电极是使用介电常数高于二氧化硅的材料(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。