技术编号:14723503
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造光伏电池的接触结构的方法以及一种光伏电池。背景技术光伏电池的半导体材料以至少两种不同的掺杂材料进行掺杂,以便在半导体材料中实现p-n结。在该结处可分离电荷,以便在使用入射光情况下产生电位。电位可以通过印制导线从半导体材料截取。DE102009034594A1描述一种用于制造结晶硅太阳能电池的方法,该结晶硅太阳能电池具有整面的合金化的背面金属化部。发明内容在这种背景下,借助本发明提出根据独立权利要求的一种用于制造光伏电池的接触结构的方法以及一种光伏电池。有利的构造方案由相应的...
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