技术编号:14725528
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体量子器件技术领域,具体是一种新型电压域振荡二极管。背景技术双势垒单量子阱异质结二极管,由于外加偏压和极化效应的影响,当这种二极管在较高偏置电压下(对于GaN基器件偏置电压约大于2.5V),其量子阱中形成非匀强电场时,在光电子学领域,器件的光吸收系数和介电常数在带边以上(即能量域的高能区)表现为调幅调相振荡,即产生频域的调制光谱,这种振荡称为光学Franz-Keldysh振荡(OFKO)。由于在光电子学领域,在低维半导体量子点、量子阱结构和器件(如垂直腔表面发射激光器(VCS...
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