技术编号：14729021
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及雪崩耐量测试设备技术领域，尤其是一种UIS测试电路及其测试方法。背景技术半导体二极管作为单向导电性器件，在电子电路中的应用十分广泛，选择合适的二极管，对整个电子电路系统来讲是十分重要的。选择合适的二极管需要该二极管能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿能力。但目前厂商提供的二极管规格书中都没有给出二极管雪崩耐量的数值，市场上亦没有成熟的针对二...
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