技术编号:14736562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体芯片存储器领域,尤其涉及一种高速的MRAM读出电路。背景技术磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度,且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写,还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。MRAM具有很好的经济性和性能,它的单位容量占用的硅片面积比SRAM有很大的优势,比在此类芯片中经常使用的NOR Flash也有优势,比嵌入式NOR Flash的优势更大。MRAM读写时延接近最好的SRAM,功耗...
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