技术编号:14744858
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体器件及制造领域,特别是涉及一种电容器阵列结构。背景技术动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,简称:DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。在20nm以下的DRAM制程中,DRAM均采用堆栈式的电容构造,其电容器(Capacitor)是垂直的高深宽比的圆柱体形状以增加表面积,现有的电容器包括下电极层、电容介质层及上电极层。在现有的DRAM电容器中,所使用的下电极层的材料一般为氮化钛(TiN),电容介质层的材料一般为...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。