技术编号:14750085
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用镶嵌入p-GaN同时嵌入于ITO和p-GaN层之间的二氧化钛(TiO2)纳米棒簇周期阵列提高发光二极管(LED)发光效率的方法,属于光电子技术领域。背景技术随着光电子工艺技术的发展,半导体照明LED的发光效率年年刷新纪录。GaN基LED发光范围覆盖蓝紫光区域,GaN基蓝光LED是新一代“绿色环保”白光照明光源的核心。但是GaN基LED的实际发光效率与其理论最大效率还有很大差距,提高LED发光效率的研究是当前的研究热点。LED发光效率由LED内量子效率(ηint)和光提取效率(η...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。