技术编号:1478326
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及一种用于在半导体衬底上制造器件的方法。更具体地说,本发明涉及一种用于去除半导体衬底残留物的方法。背景技术 微电子器件作为集成电路通常制造在半导体衬底上,其中不同的金属层彼此互连以利于在该器件内传播电子信号。一种用于制造微电子器件的典型工艺为等离子体蚀刻工艺。在等离子体蚀刻工艺期间,将包含金属或基于金属的化合物的一层或多层部分地或全部去除,以形成集成电路的特征图案(例如互连线或接触通孔)。一般地,等离子体蚀刻工艺利用气体化学物质,当其与组成蚀...
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