技术编号:14818519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种用于等离子体刻蚀监测的承载装置。背景技术等离子刻蚀工序是指通过刻蚀介质膜,形成良好的P面电极窗口。刻蚀氮化硅、氧化硅需得到好的侧壁剖面,即各项异性一般采用的是等离子体刻蚀装置,使用的刻蚀装置一般每次做单片,无需使用托盘,直接传递到工艺腔中间,上面用压环压住防止晶元随气流的流动而流动,但刻蚀后的晶元会存在一个压环印,不能满足生产需求。现有技术中的刻蚀装置产能较低,刻蚀的晶元存在压环印,不满足特定产品要求。实用新型内容本申请提供的一种用于等离子体刻蚀监测的承...
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