技术编号:14828562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种优化直拉法温度控制的热场外层结构,用于直拉硅单晶炉热场以保证红外温度传感器信号的稳定。背景技术现在集成电路的线宽已进入了纳米时代,直径越大的硅片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低,随着国内和国际市场对大直径单晶硅片需求量和尺寸的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池,目前约85%的半导体硅单晶体采用直拉法。在该方法中多晶...
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