技术编号:14834075
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的示例涉及磁性传感器电路和系统以及用于形成包括磁阻结构的磁性传感器电路的方法。背景技术磁阻效应基于多种不同的物理现象。所有这些现象的共性在于:电阻元件的电阻可通过穿透电阻元件的磁场来改变。利用磁阻效应的技术有时被称为“xMR技术”,其中“x”表示本文可解决的许多效应,仅举几个例子,如巨磁阻(GMR)效应、隧道磁阻(TMR)效应或者各向异性磁阻(AMR)效应。xMR效应可以应用于各种基于场的传感器,例如用于测量旋转、角度等。然而,施加于传感器的诸如大磁场强度的外部效应可以在传感器执行的测量中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。