技术编号：14838450
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造方法及其设备，尤其涉及一种离子植入机及其使用方法。背景技术离子植入在半导体制造技术中有着广泛的应用，它是一种向半导体材料中引入可控数量的杂质，以改变其电学性能的方法，最主要的用途是掺杂半导体材料。离子植入工艺是在离子植入机中进行的，通过离子源反射的离子束(Ion Beam)扫描整个晶圆(Wafer)，使晶圆表面的半导体材料得到均匀的掺杂。然而，利用现有的离子植入机对晶圆进行离子植入，所述形成的晶圆的性能较差。发明内容本发明解决的技术问题是提供一种离子植入机及其使用方法，以提高...
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