技术编号:14862275
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电力电子变流技术领域,尤其是涉及一种模块化变流器。背景技术随着电力电子产品对功率器件电压等级和电流等级要求的不断提高,IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)器件以其优越的性能获得了广泛的应用。IEGT利用“电子注入增强效应”,使之兼有IGBT和GTO两者的优点:低饱和压降、宽安全工作区、低栅极驱动功率和较高的工作频率等。器件采用平板压接式电极引出结构,可靠性高,散热效果好,器件已经达到4.5KV/1500A的水平。随着交流传动技术的发展,I...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。