技术编号:14862563
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种在晶片的表面形成曲面的方法。背景技术在半导体技术中,硅材料表面加工工艺的特点是平面化加工,即,在硅晶片表面的X方向和Y方向进行加工。近年来,发展出了深槽工艺,即,使用干法刻蚀或湿法刻蚀的方式在硅表面形成沟槽。在现有的半导体材料表面加工工艺中,大多是制造与半导体材料的表面平行或呈特定夹角的平面,即使是深槽工艺,也只是在平面工艺的基础上对与半导体材料的表面垂直的面进行开槽加工以形成平面,而很少加工出光滑曲面。随着半导体技术的发展,在半导体材料的表面加工出曲面...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。