技术编号：14862566
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及开关元件的制造方法。背景技术日本特开2009-147381公开了通过向SiC半导体基板注入p型杂质离子和n型杂质离子来形成开关元件的技术。当向SiC半导体基板注入杂质离子时，会在SiC半导体基板的内部形成晶体缺陷。然而，之后通过对SiC半导体基板进行退火，能够使在SiC半导体基板的内部形成的晶体缺陷消失而使SiC半导体基板的晶体性恢复。发明内容开发出了使用GaN半导体基板来制造开关元件的技术。在GaN半导体基板中，难以通过退火使存在于p型半导体层的内部的晶体缺陷消失，难以使所述GaN半...
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