技术编号:14869675
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件,具体为一种具有扩展电极的发光二极管及其制作方法。背景技术发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED) 是一种半导体发光器件,利用半导体P-N 结电致发光原理制成。LED以其亮度高、低功耗、寿命长、功率小等优点,成为新一代光源首选。目前大部分的发光二极管的电极均采用二维结构之设计,具体为紧黏附于电流传导层(TCL)/p、n型半导体层表面。在大尺寸的发光二极管中,为了让电流有较远的传导距离,电极部分增加条状(或者环状、网状等)延伸的扩展图案(finge...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。