技术编号:14875373
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件。背景技术碳化硅半导体材料具有较宽的禁带宽度(3.2eV)、较高的击穿电场强度(2.2MV/cm)、较高的高饱和电子迁移速率(2.0×107cm/s)、较高的高热导率(5.0W/cm K)、极好的物理化学稳定性等特性,适合于作为大功率、高电压、高工作温度、高工作频率功率半导体器件的制造材料,而由于碳化硅在化合物半导体材料中是唯一具有通过氧化生成致密SiO2介质层的能力,这使得碳化硅工艺与常规CMOS工艺具有更高的工...
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