技术编号:14875416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及本导体集成电路领域,特别是涉及一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT(锗硅异质结双极型三极管)器件的工艺方法。背景技术采用P型多晶硅抬高外基区,发射极和外基区之间采用内侧墙的自对准器件结构,可以同时降低基极电阻和基极-集电极电容,这样的锗硅异质结双极型三极管(HBT)器件可以得到大于300GHz的最高振荡频率fmax,其性能可以和III-V器件相当,被广泛用于光通信和毫米波应用。SiGe HBT器件采用较小能带宽度的掺有杂质硼的锗硅碳合金为基极,由于发射极和基极有能带差,可以在保证同样...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。