技术编号：14899412
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2012年5月14日提交的美国临时专利申请No.61/646，410以及于2012年8月24日提交的韩国专利申请No.10-2012-0093113的优先权，通过引用将其每个的内容合并于此。技术领域本发明的一些示例性实施例涉及存储装置，并且更具体地，涉及被配置为通过控制刷新操作来减少在访问存储单元期间发生的干扰而造成的动态刷新特征的劣化的存储装置和/或存储系统，和/或其操作方法。背景技术高电压被施加到诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储装置的字线上，使晶体管能够访问存储单元...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。