技术编号:14906100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种具有金属导电性和室温铁磁性的V掺杂的TiO2薄膜及其制备方法。背景技术在现代信息社会中,磁性材料和半导体材料各自发挥着非常重要的作用。信息的存储是利用磁性材料中电子的自旋属性来实现的,信息的处理是利用半导体材料中电子的电荷属性来完成的。稀磁半导体是在半导体中掺入磁性离子后形成的一类半导体材料,能同时利用电子的电荷属性和自旋属性,兼具铁磁性能和半导体性能,表现出许多优异的磁、磁光和磁电性能,在自旋电子学领域有广阔的应用前景。Mn掺杂的GaAs稀磁半导体被公...
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