技术编号：14906186
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2017年1月4日提交的美国非临时专利申请第15/398,407号的优先权，其全部公开内容通过引用整体并入本文。技术领域本公开总体上涉及用于由熔体形成半导体或太阳能材料的锭的单晶拉晶系统，并且更具体地涉及包括坩埚和设置在坩埚的空腔内以接触熔体的调节构件的系统和方法。发明背景在通过Czochralski(CZ)法生长的硅单晶的生产中，在拉晶装置的坩埚(例如石英坩埚)内熔化多晶硅以形成硅熔体。拉制器将晶种降低到熔体中，并缓慢地将晶种从熔体中提出，使熔体凝固在晶种上以形成锭。在连续CZ方法中...
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