技术编号:14913095
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于加工半导体器件的电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma)处理装置,如电容耦合等离子体刻蚀装置,还涉及利用上述装置加工半导体器件的方法。背景技术在半导体器件的制造过程中,为了在作为待处理基片的半导体晶片上形成的规定层上形成规定图案,大多采用以抗蚀剂作为掩模、利用等离子体进行刻蚀的等离子体刻蚀处理。作为用于进行这样的等离子体刻蚀的等离子体刻蚀装置,使用各种装置,其中,主流为电容耦合型等离子体处理装置。在电容耦合型等离子体刻蚀装置中,在腔室内配置一对平行...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。