技术编号：14913101
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种n型III族氮化物半导体材料及其制备方法。背景技术III族氮化物材料(包含GaN、AlN、InN以及他们的合金材料)，常用的生长方法包括MOCVD方法、MBE方法以及HVPE生长方法。其中，MOCVD以及MBE方法的生长速度较低，通常用于生长厚度不超过15微米的GaN材料，用于光电子及微电子器件的制备。HVPE方法通常用于生长厚度大于15微米的厚层III族氮化物材料。为了实现材料的n型掺杂，普遍采用的掺杂元素一般来自于IV族元素和VI族元素，典型的掺杂元素包...
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