技术编号:14913104
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及但不限于太阳能电池技术领域,尤其涉及但不限于一种硅片清洗方法。背景技术异质结非晶硅/晶硅太阳能电池HJT(Hetero-junction with Intrinsic Thin layer),又名HIT,是一种高效的晶硅电池,具有高开路电压等优点。HJT电池较高的开路电压主要得益于其电池结构中有良好的本征非晶硅的钝化。在HJT电池的生产工艺中,制绒、清洗和PECVD工艺是影响钝化效果的核心因素。为了达到良好的钝化效果,就必须要求制绒后的金字塔尺寸均一;清洗后金字塔表面光滑,金属离子被充...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。