技术编号:14913107
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯膜的制造方法和将其用作表膜的表膜构件(Pellicle)的制造方法。背景技术在半导体制造工艺所使用的光刻技术中,作为提高分辨率的手段,已推进曝光用光源的短波长化。目前为止,曝光用光源已从水银灯的g线(436nm)、i线(365nm)转向KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm),而且也在研究主波长为13.5nm的EUV(Extreme Ultra Violet:远紫外)光的使用。在半导体和液晶显示器制造工艺的光刻工序中,对涂敷有抗蚀剂的半导体晶圆、液晶用原板照...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。