技术编号:14913178
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种半导体结构,包含一高电容值金属隔离金属电容结构,及其制造方法。背景技术芯片上金属隔离金属电容乃公知技术,其通常被整合在混合信号电路或射频电路芯片中,作为去耦合电容,于电源分布网络中提供较佳的电压调节及抗噪能力。为了达到最低要求的电容值,芯片上金属隔离金属电容通常需占用不少芯片面积,导致芯片尺寸及成本增加。因此,所述技术领域仍需要一种高电容值金属隔离金属电容结构,不会增加芯片尺寸及成本。发明内容本发明的主要目的在提供一三维金属隔离金属电容结构,具有高电容值,...
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