技术编号:14913181
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于具有嵌入的金属—绝缘体—金属(Metal-insulator-metal,MIM)电容的半导体封装体及其制作方法。本发明特别是关于具有嵌入的MIM电容的中介层、含有此中介层的半导体封装体及制作此半导体封装体的方法。背景技术半导体集成电路(Integrated circuit,IC)产业历经快速发展,在发展期间,半导体装置的尺寸及形状均巨幅地缩小。近期以来,工业上已发展出能够垂直整合半导体装置的技术,其中一种常见的已知方法为2.5维(2.5-dimensional,2.5D)封装技术。...
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