技术编号：14913207
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路技术领域，涉及一种碳纳米管束场效应晶体管阵列及其制造方法。背景技术对于载流子运输介质，真空本质上优于固体，因为它允许弹道运输，而在半导体中，载流子会遭受光学和声学声子散射。真空中的电子速度理论上是3×1010cm/s，但在半导体中，电子速度仅约为5×107cm/s。一些科学家认为，在真空晶体管中，似乎只有电子可以在电极之间流动，而空穴不能。除非我们学会处理正电子，否则将不可能做任何互补型电路，例如CMOS。而没有互补型电路，功率将过高，最有可能限制真空晶体管进入细分市场。很难想...
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