技术编号:14913268
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据35 U.S.C.119(e),该非临时申请要求2016年12月30日提交的美国 临时专利申请No.62/440,771(TI-76803P)的权益和优先权,该申请通过引用整 体并入本文。背景技术诸如高电子迁移率晶体管(HEMT)的高压晶体管在高电压和快速开关操作 中具有广泛的工业应用。氮化镓(GaN)晶体管是一种HEMT器件,其能够承 受高的漏-源电压(例如大于100V)并提供快速的开关速度。通常,GaN晶体 管包括漏极区域、源极区域、沟道区域以及位于沟道区域上方的栅极结构。对 于高速开关...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。