技术编号:14923472
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及垂直LED芯片的测试领域,特别涉及一种垂直LED芯片的导电膜测试方法。背景技术传统的LED芯片通常呈四边形,并且其结构有两种:横向结构(Lateral))和垂直结构(Vertical)。其中,垂直结构LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧,由于图形化电极和全部的p型氮化镓层作为第二电极,使得电流几乎全部垂直流过LED外延层,极少有横向流动的电流,因而可改善平面结构的电流分布问题,提高发光效率,也可以解决P电极的遮光问题,提升LED的发光面积。目前垂直LED芯片的制备工艺主要为,在...
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