技术编号:14924742
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米复合材料的图形化生长方法,具体为一种一维碳纳米管和三维石墨烯复合材料图形化生长方法,隶属微纳制造领域。背景技术石墨烯,一个杂化的SP2六角型薄膜,它是目前发现最薄的二维材料。石墨烯具有很多优异的特性,它具有很好的柔韧性和透光性,石墨烯中的载流子迁移率远高于传统的硅材料,室温下本征载流子迁移率高达2.0×105cm2/(V.S)。另外,它具有高的热导率(约5000W/m.k)、极高的杨氏模量(1.06TPa)和巨大的比表面积2630m2/g。这些性质使石墨烯受到人们广泛的关注,它...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。