技术编号：1493331
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种。背景技术随着半导体器件的尺寸日益减小，由于多层互连或填充深度比较大的沉积过程 导致了晶片表面过大的起伏，引起光刻工艺聚焦的困难，使得对线宽的控制能力减弱，降 低了整个晶片上线宽的一致性，因此，业界引入了化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing, CMP)来平坦化晶片表面。化学机械研磨的过程通常包括如下步骤首先，将晶片放置于一研磨头上，并使所 述晶片表面向下与一研磨垫(Pad)接触，...
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