技术编号:1493363
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种。 背景技术随着电子设备的广泛应用,半导体的制造工艺得到了飞速的发展,半导体的制造 流程涉及两种基本的刻蚀工艺干法刻蚀和湿法刻蚀。其中,干法刻蚀是把晶圆曝露于刻蚀 气体所产生的等离子体中,等离子体与晶圆发生物理或化学反应,从而有选择性地从晶圆 表面去除不需要的材料。图1为现有技术中干法刻蚀装置的剖面结构图。如图1所示,通过转换耦合功率 发生器101在电感线圈102上施加转换耦合功率,从而在电感线圈102的周围产生电磁场...
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