高纯锗探测器的制作方法技术资料下载

技术编号:14936635

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本实用新型涉及核探测技术领域,特别涉及高纯锗探测器。背景技术高纯锗探测器是一种利用杂质浓度在109cm-3至1010cm-3范围内的锗单晶制成的半导体探测器,主要用于γ射线和X射线测量。这一类型的探测器具有极高的能量分辨率和相对较高的探测效率,被广泛地应用于环保、核电、生物医学、卫生疾控、军队防化以及科研等多个领域。高纯锗探测器的探测效率一般用相对探测器效率来表示,其定义为:60Co点源放置在探测器端面正上方25cm处,对1.33MeV能量峰,高纯锗探测器计数率与3″×3″NaI(T1)探测器计...
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