技术编号:14938103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于单晶硅生长技术领域,具体涉及一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法。背景技术N型单晶硅棒,头尾电阻率之比理论上6倍即可保证尾部电阻不超出下限范围,但实际生产中,因头部电阻率的命中率难以达到100%,从而导致了尾部电阻率的不良,目前以目标电阻率/下限电阻率=6的产品举例,尾部电阻不良率约为3%,这就需要从源头上在单晶硅生长过程中对工艺进行改良。发明内容本发明的目的在于提供一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法,解决了现有的单晶硅棒由于在生长过程中电阻分布不合理导致其尾部电阻不良率较高的问题。本发...
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