技术编号:14938109
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及锗单晶电阻及导电类型控制技术领域。背景技术锗是一种稀缺的、有限的、不可再生的重要战略资源,广泛应用于红外技术、光导纤维通讯、高频超高频电子器件、航空航天、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等众多国防军事及民用领域。在红外光学领域,锗单晶主要用于红外热像仪等红外光学系统中的透镜、棱镜、窗口、滤光片、整流罩等光学元件的制作。红外用锗单晶为N型,锗作为8-12μm广泛应用的大气窗口或CO2激光窗口,电阻率对锗单晶的透过率及透光波段有至关重要的影响。由于直拉法具有培育单晶完好、成晶率高、位错密度...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。