技术编号:14942005
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体领域,更具体地,本发明涉及应变沟道的场效应晶体管。背景技术为了改善可制造性和性能,已经开发了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构的变型例。一种变型例被称作“鳍状场效应晶体管(finFET)”,该晶体管包括:诸如硅的材料的带或“鳍”;和形成围绕位于三个露出侧面上的鳍的栅极。器件的沟道区域位于鳍内,并且已经开发了将应力引入这种带或鳍。硅锗(SiGe)鳍位于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的沟道区域内,将该硅锗鳍用于提高场效应晶体管(FET)的性能。然而,当将鳍...
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