技术编号：14942026
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及背照式图像传感器的制造方法。背景技术在传统的CMOS图像传感器中，光电二极管位于电路层下方，入射光会受到电路布线的遮挡。在背照式图像传感器中，光线从图像传感器的背面入射。这样，能够使入射光先入射到光电二极管中，从而提高了入射光量，能够显著提高低光照条件下的拍摄效果。硅片通道(Through Silicon Vias,TSV)技术被认为是半导体行业最先进的技术之一。利用TSV可以使两个或更多个芯片垂直整合，从而形成三维堆叠的硅器件。发明内容根据本公开的第一方面，提供了一种制造背照式图像传...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。