技术编号：14942107
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2015年03月25日、申请号为PCT/US2015/022576的国际申请进入中国后发明名称为“用于形成交叉点存储器的置换材料工艺”的第201580016818.5号发明专利申请案。技术领域本文中所揭示的标的物一般来说涉及集成电路中的装置，且明确地说，涉及形成装置阵列(例如，交叉点阵列内的存储器单元)的方法。背景技术可在大范围的电子装置中发现并入有硫属化物材料的装置(例如，双向阈值开关及相变存储元件)。这些装置可用于计算机、数码相机、蜂窝式电话、个人数字助...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。