技术编号:14942127
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电器件技术领域,尤其涉及一种含亚乙氧基化合物的钙钛矿发光二极管及其制备方法。背景技术钙钛矿发光二极管(Perovskite light emitting diode,PeLED)是继有机发光二极管(Organic light emitting diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantumdot light emitting diode,QLED)之后的新型功能器件。和后者相比,前者主要采用钙钛矿(ABX3)作为发光材料,其中A是一价阳离子(MA+、FA+等),B是二价阳离...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。