技术编号:14950599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于闪存,特别是闪存的高速缓存的动态管理。背景技术闪存可分为SLC(single-level chip)闪存及MLC(multiple-level chip)闪存。MLC闪存通常是TLC(triple-level chip)闪存。把数据写入SLC闪存的速度大于把数据写入TLC闪存的速度,因可用突发写(burst write)模式把数据写入SLC闪存。所以,SLC闪存可被当作高速缓存。然而,SLC高速缓存贮存数据的密度小于TLC闪存贮存数据的密度。因此,NAND闪存通常被规划成两区,亦即S...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。