技术编号:14951876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。各实施方式总体上涉及半导体存储器件,更具体地,涉及包括多个平面的非易失性存储器件。背景技术半导体存储器件是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体实现的存储器件。半导体存储器件通常可分为易失性存储器件或非易失性存储器件。易失性存储器件是当电源中断时存储的数据被去除的存储器件。易失性存储器件的示例包括SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态RAM)和SDRAM(同步DRAM)。非易失性存储器件是即使在电源中断时仍保留存储在其中的数据的存储器件。非易失性存储...
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