技术编号:14952076
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求于2017年1月9日在美国专利商标局提交的美国临时申请No.62/443,934的优先权,其公开通过引用全部并入本文。技术领域本发明构思涉及制造纳米片晶体管的方法,并且更具体地,涉及制造包括内间隔件的纳米片晶体管间隔件的方法。背景技术由于鳍场效应晶体管(FinFET)中的鳍宽度接近5nm,沟道宽度变化可能引起不期望的变化性和迁移率损失。正在研究纳米片FET作为鳍场效应晶体管的替代品。纳米片FET是多栅极晶体管。在多栅极晶体管中,提供了在衬底上形成的鳍状或纳米线状的硅本体,在所述硅本体的...
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