技术编号:14952099
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作工艺技术领域,尤其涉及一种光刻胶监控方法。背景技术目前,半导体制造主要是在衬底的晶片上生长半导体器件的各层结构,并进行互连。无论离子注入工艺还是刻蚀工艺,当需要在半导体器件上的预定区域进行操作时,为了避免其他不需要被离子注入或刻蚀的区域被注入离子或刻蚀掉,需要用光刻胶(Photo resist,PR)进行覆盖,以对非预定区域进行保护。相同厂商生产的不同批次的光刻胶,会造成光刻胶对离子注入的阻挡能力是不同的,因此,在生产过程中需要对光刻胶进行监控,避免相同生产工艺条件下,不同光...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。