技术编号：14952214
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜晶体管技术领域，具体涉及一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。背景技术薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，是一种用途广泛的三端有源半导体器件，其最重要的用途是在显示器中用于驱动液晶排列变化、以及驱动OLED像素发光。薄膜晶体管通过栅极电压来控制半导体层半导体的载流子，从而实现器件的开或关态。其中薄膜晶体管中源漏电极提供电压以驱使载流子的定向移动形成电流。现有的薄膜晶体管主要有非晶硅、多晶硅、金属氧化物薄膜晶体管。但非晶硅迁移率低、多晶硅制...
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